خواص الترانزستور ثنائي القطب (IGBT)، أهم ما يميز ترانزستور IGBT هو أن طرف البوابة به معزول تماما، ولا يستهلك تيار كباقي أنواع الترانزستورات، بل يتم تطبيق جهد محدد فقط.
ملخص الترانزستور نوع IGBT
يجمع ترانزستور IGBT أفضل مواصفات الترانزستورين الـ BJT والـ FET، وللترانزستور 3 أطراف خرج كالتالي: طرف المجمع C- طرف الباعث E- طرف البوابة G.
يوجد لهذا النوع من الترانزستورات (ترانزستورات IGBT) عدة مميزات رئيسية، حيث يتميز بمقاومة دخل عالية مثل: الموسفت (MOSFET) ما يجعله لا يستهلك تيار، إلى جانب أنه عنصر يمكن التحكم بتياره عن طريق الجهد.
كما يتميز أيضاً بقدرة عالية على تحمل التيار مثل: ترانزستور BJT وقدرة تكبير ممتازة دون أي مفاقيد، إلى جانب أنه يعمل في ظل الترددات العالية.
أما التركيب الداخلي له، فهو مكون من عدة طبقات من مواد شبه موصلة بحيث يتشابه إلى حد كبير ترانزستور الـ MOSFET، ما عدا طبقة واحدة تعرف باسم طبقة الحقن (بالإنجليزية: Lnjecting Layer).
خواص الترانزستور ثنائي القطب (IGBT)
عند تطبيق جهد صغير على البوابة، يتحول حالة ترانزستور IGBT إلى حالة التوصيل، وهذا خلاف ترانزستور BJT الذي يحتاج على تيار على القاعدة بشكل مستمر وكافي حتى تحصل على قيمة مناسبة للتوصيل.
ويعمل ترانزستور IGBT في اتجاه واحد فقط، أي يقوم بتمرير التيار في الاتجاه الأمامي فقط من المجمع (C) إلى الباعث (E).
وما يميز ترانزستور IGBT بأنه يعمل ضمن الجهود العالية، ومقاومة تشغيل منخفضة، وسرعات تبديل عالية.
اقرأ أيضاً: طريقة فحص الترانزستور
المصدر:
- بعض الكتب التعليمية
- electronics-tutorials
