الفرق بين ترانزستور (BJT) وترانزستور (MOSFET)

الفرق بين ترانزستور (BJT) وترانزستور (MOSFET)، يعتبر الترانزستور من أحد أهم العناصر الإلكترونية استعمالاً في العديد من تطبيقات الدوائر الإلكترونية كالمكبرات، ودوائر الاتصالات، والمذبذبات. ويتوفر الترانزستور في سوق الإلكترونيات بأنواع وأشكال وبقدرات مختلفة.

في هذا المقال سنتطرق إلى توضيح الفرق بين ترانزستور (BJT) وترانزستور (MOSFET) من حيث مبدأ العمل والرموز، وأهم الفروق بين (BJT) و (MOSFET).

اقرأ أيضاً

محتويات

ما هو ترانزستور (BJT)

يعتبر ترانزستور ثنائي القطبية (بالإنجليزي: Bipolar Junction Transistor) المعروف باسم (BJT) من أحد أشهر أنواع الترانزستورات استعمالاً، نظراً لأهميته ودوره في الدوائر الإلكترونية. حيث يوجد منه نوعين، وهما: نوع PNP ونوع NPN، وله ثلاث أطراف كلاً منه له مسمى.

تركيب ترانزستور (BJT)

يتركب الترانزستور (BJT) من أشباه الموصلات أحدهما موجب والآخر سالب، وبتشكيلهما نحصل على قطعة إلكترونية بوظائف وخصائص خاصة.

حيث أنه عند وضع طبقة موجبة بين طبقتين سالبة، فإننا نحصل على وصلة ثنائية نوع NPN، بينما عند وضع الطبقة السالبة بين الطبقتين الموجبتين، فإننا نحصل على وصلة ثنائية نوع PNP.

رمز ترانزستور (BJT)

إذا كان اتجاه سهم الباعث إلى الداخل فإن نوع الترانزستور PNP، وإذا كان الاتجاه إلى الخارج فإن نوع الترانزستور NPN، وهو الأكثر استعمالاً من نوع PNP.

أطراف ترانزستور (BJT)

يتكون ترانزستور (BJT) من الخارج على ثلاث أطراف كالتالي:

طرف المجمع Collector ويرمز له بالرمز C.
طرف القاعدة Base ويرمز له بالرمز B.
طرف الباعث Emitter ويرمز له بالرمز E.

مبدأ عمل ترانزستور (BJT)

يتم التحكم بمقدار تيار المجمع C الكبير عن طريق تيار صغير مطبق على القاعدة B، وكلما زدنا تيار القاعدة زادت نسبة مرور تيار المجمع إلى أن يصل لمرحلة التشبع، ولكي يعمل الترانزستور فلا بد أن يكون جهد القاعدة أكبر من جهد الباعث بمقدار 0.7V.

ترانزستور (MOSFET)

يعد ترانزستور الموسفت (بالإنجليزية: MOSFET Transistor) الأكثر تطوراً من ترانزستور BJT، ولكنه ليس البديل المباشر لوجود عدة فروق بينهما، فكلاً منهما له استخداماته ومزاياه، ويصنف ترانزستور الموسفت إلى صنفين سوف نتعرف عليهما في هذا الموضوع.

حيث أن كلمة (MOSFET) اختصاراً لــ “Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor”.

تركيب ترانزستور (MOSFET)

يتكون ترانزستور الموسفت من الداخل على قطب معدني (Metal Electrode) وطبقة أخرى تسمى بعازل أكسيد معدني (Metal Oxide Insulator)

وسبب وجود العازل من أجل توصيل طرف البوابة بطريقة غير مباشرة مع باقي مكونات الترانزستور بغرض التحكم من خلال التأثير المجالي في فتح أو غلق القناة حسب قيمة الجهد المطبق، كما أن القناة يكون نوع N-channel أو P-channel.

رمز ترانزستور (MOSFET)

تحديد نوع الترانزستور:

إذا كان اتجاه السهم إلى الداخل فإن الترانزستور نوع N-Channel، بينما إذا كان اتجاه السهم إلى الخارج فإنه يكون P-channel.

تحديد صنف الترانزستور:

إذا كان الخط المتصل مع طرفي المصرف (D) والمصدر (S) متقطع فإن نوعه (Enhancement) وإذا كان الخط متصل فإن نوعه (Depletion).

أطراف ترانزستور (MOSFET)

يتكون ترانزستور (MOSFET) من الخارج على ثلاث أطراف كالتالي:

طرف المصرف Drain ويرمز له بالرمز D.
طرف البوابة Gate ويرمز له بالرمز G.
طرف المصدر Source ويرمز له بالرمز S.

طريقة عمل ترانزستور (MOSFET)

يتم فيه التحكم بالتيار المار عبر القناة المتصلة مع المصرف (D) والمصدر (S) عن طريق الجهد المطبق على طرف البوابة (G) دون استهلاك تيار، وذلك لاحتوائه على مقاومة داخلية عالية.