ترانزستور الموسفت MOSFET، يعتبر ترانزستور الموسفت MOSFET أحد أهم أنواع الترانزستورات استخداماً في العديد من تطبيقات الدوائر الإلكترونية.
يتوفر ترانزستور الموسفت MOSFET بقدرات وأشكال مختلفة ولكن فكرة العمل لديه يعتمد على نفس المبدأ، وهناك نوعين من ترانزستور الموسفت من حيث التركيب الداخلي له وهما Depletion Mode و Enhancement Mode.
تابعوا معنا هذا المقال لمعرفة تفاصيل أكثر حول ترانزستور الموسفت MOSFET من حيث مبدأ عمله وأنواعه والفرق بينه وبين ترانزستور ثنائي القطبية (BJT).
ما هو ترانزستور الموسفت MOSFET
يعرف ترانزستور الموسفت MOSFET (بالإنجليزي: MOSFET Transistor) بأنه أحد أنواع تصنيفات الترانزستور الحقلي FET وهو اختصاراً لـ (Field Effect Transistor).
يتكون ترانزستور الموسفت MOSFET من الخارج على ثلاث أطراف وهما طرف المصرف (Drain) وطرف البوابة (Gate) وطرف المصدر (Source).
حيث يتم وضع قطب معدني (Metal Electrode)، وطبقة أخرى تسمى بعازل أكسيد معدني (Metal Oxide Insulator)، بين طرف البوابة ومع ما داخل الترانزستور، للتحكم في حالات الترانزستور بطريقة غير مباشرة باستخدام تقنية مشابه للتأثير المجالي.
مبدأ عمل ترانزستور الموسفت MOSFET
يعتمد مبدأ عمله بشكل أساسي على التحكم بالتيار المار بين المصرف (Drain) والمصدر (Source) عن طريق تطبيق فرق جهد على طرف البوابة (Gate) للترانزستور.
قد يهمك: عمل الترانزستور كمكبر
تصنيف ترانزستور الموسفت MOSFET
- ترانزستور صنف (Depletion Mode): يكون هذا النوع في وضع الوصل ON عند عدم تطبيق أي جهد على طرف البوابة، وهو مشابة تماماً للمفتاح المغلق في حالته الطبيعية (Normally Closed)، ويوجد منه أيضاً نوعين وهما N-channel و P-channel.
- ترانزستور صنف (Enhancement Mode): يكون هذا النوع في وضع الفصل عند عدم تطبيق أي جهد على طرف البوابة، وهو مشابه تماماً للمفتاح المفتوح في حالته الطبيعية (Normally Open)، ويوجد منه أيضاً نوعين وهما: N-channel و P-channel.
الفرق بين Depletion Mode و Enhancement Mode
- ترانزستور موسفت نوع Depletion Mode
يكون ترانزستور Depletion Mode في وضع الوصل ON عند قيمة جهد 0V ويبدأ في إغلاق القناة أكثر فأكثر بين طرفي المصرف (D) والمصدر (S) بالتزامن مع زيادة قيمة الجهد السالب على طرف البوابة للترانزستور، ويكون نسبة الإغلاق حسب قيمة الجهد المطبق.
- ترانزستور موسفت نوع Enhancement Mode
يكون ترانزستور Enhancement Mode في وضع الفصل OFFعند قيمة جهد 0V ويبدأ بفتح القناة أكثر فأكثر بين طرفي المصرف (D) والمصدر (S) بالتزامن مع زيادة قيمة الجهد الموجب على طرف البوابة للترانزستور.
رمز ترانزستور الموسفت MOSFET
ملاحظة هامة: ممكن أن تعمل الطبقة العازلة على تراكم شحنات موجبة وسالبة كبيرة على كل من البوابة وباقي الأطراف الأخرى عند ملامستها باليد أو أي أداة أخرى وهذا يؤدي إلى تلف الترانزستور نتيجة التفريغ الالكتروستاتيكي.
اقرأ أيضاً
الفرق بين أطراف الموسفت (MOSFET) وثنائي القطبية (BJT)
| أطراف ترانزستور الموسفت (MOSFET) | أطراف ترانزستور ثنائي القطبية (BJT) |
| Source (S) | Emitter (E) |
| Gate (G) | Base (B) |
| Drain (D) | Collector (C) |
ملاحظة هامة: للتعرف على أطراف ترانزستور الموسفت عليك الرجوع إلى الداتا شيت لقراءة كافة التفاصيل المتعلقة بالموسفت.
حالات ترانزستور الموسفت (MOSFET) مع جهد المصدر
| نوع الموسفت (MOSFET type) | VGS = +ve | VGS = 0 | VGS = -ve |
| N-Channel Depletion | ON | ON | OFF |
| N-Channel Enhancement | ON | OFF | OFF |
| P-Channel Depletion | OFF | ON | ON |
| P-Channel Enhancement | OFF | OFF | ON |
الفرق بين الموسفت (MOSFET) والترانزستور ثنائي القطبية BJT
| ترانزستور الموسفت MOSFET | ترانزستور ثنائي القطبية BJT |
| يعد الأكثر استعمالاً في الدوائر الرقيمة والتناظرية | يستخدم بكثرة في الدوائر الصغيرة والمكبرات |
| يحتاج إلى الجهد فقط أثناء عمله | يحتاج إلى تيار أثناء عمله |
| يسمى أطرافه (الباعث E/ المجمع C/ القاعدة B) | يسمى أطرفه (المصدر S / والمصرف D/ البوابة G) |
| يستخدم مع الدوائر التي تعمل بتيار صغير | يستخدم بالدوائر التي تعمل بقدرات عالية |
| يعمل بكفاءة عالية عند ارتفاع درجات الحرارة | يعمل بكفاءة أقل عند ارتفاع درجات الحرارة |
| مرتفع الثمن | منخفض الثمن |
| مقاومته الداخلية عالية لذلك لن يستهلك أي تيار | مقاومته الداخلية منخفضة بالتالي يستهلك تيار |
المصادر والمراجع
2 تعليقات