ما هو الترانزستور ثنائي القطب (IGBT)، ترانزستور ثنائي القطب ذو البوابة المعزولة تماماً، ويرمز له بالرمز (IGBT).
نستعرض معكم معلومات تأسيسية ومهمة عن الترانزستور (IGBT)، وما دوره في الدوائر الإلكترونية؟ ومما يتكون؟
ما هو الترانزستور ثنائي القطب (IGBT)؟
الـ IGBT هو اختصارا للعبارة (Insulated Gate Bipolar Transistor). ويستخدم في مجال الطاقة الكهربائية كمفتاح إلكتروني بدوائر القدرات العالية.
ويمكنه تعرفيه على أنه عنصر إلكتروني يجمع بين ترانزستور ثنائي القطبية (BJT) وترانزستور تأثير المجال (الموسفت) مما يجعل منه مفتاح إلكتروني مثالي.
حيث يجمع ترانزستور (IGBT) بين مميزات هذين الترانزستورين، فهو يأخذ من ترانزستور الموسفت صفات مقاومة الدخل العالية، وسرعة تبديل كبيرة، ومن ترانزستور (BJT) جهد اشباع منخفض وقدرة عالية على تحمل التيار.
ويمكن تمثيل الترانزستور (IGBT) كترانزستور قدرة من النوع (BJT) يتم التحكم بتيار القاعدة له عن طريق التحكم بجهد بوابة ترانزستور الموسفت (MOSFET).
بنية ترانزستور IGBT
يتكون ترانزستور (IGBT) من عدة طبقات من مادة شبه موصلة، وهو يشبه إلى حد كبير ترانزستور الموسفت (MOSFET)، ما عدا طبقة واحدة تعرف باسم طبقة الحقن (Injecting Layer)، وهي أساس مميزات هذا الترانزستور.
ولترانزستور (IGBT) ثلاث أطراف وهي: المجمع (Collector)- الباعث (Emitter)- البوابة (Gate).
مجالات استخدام ترانزستور (IGBT)
يستخدم ترانزستور (IGBT) كمفتاح إلكتروني في تطبيقات القدرة العالية، التي تتعامل مع تيارات وجهود عالية، ومنها:
- في دوائر مولدات القدرة.
- في الانفرترات.
- التحكم في محركات 1 فاز و3 فاز.
- تركيب الباور سبلاي.
اقرأ أيضاً:
المصدر:
- بعض الكتب التعليمية
- مواقع إلكترونية
